p-i-n型非晶硅薄膜电池

2018年8月24日 · 研究结果表明甲烷和硅烷掺杂比能影响 a- Si: H 薄膜成键 情况,而射频功率一定程度上能影响薄膜沉积速率, 该研究 结果可为 制备转换 效率高 、 性能 稳定的p--i n 型非晶硅薄膜太阳能电池提供支持 .关键词 : RF-PECVD; 氢化非晶碳化硅薄膜 ; 非化学计量比

2015年11月28日 · 本文在制备n－i－P型非晶硅薄膜太阳电池的基础上,重点研究了衬底形貌、背反层结构以及窗口层工艺条件与电池性能的联系。 首先,我们将一种新颖的具有准周期性纳米坑状织构的Al衬底应用到n．i．P型非晶硅薄膜电池中,并同基于商用氟掺杂Sn02（Sn02：F,简称FTO）透明导电玻璃衬底（型号：AsahiANSl4）及平板衬底的n．i．P型非晶硅电池性能做了

非晶硅电池（a-Si）是用沉积在 导电玻璃 或不锈钢衬底上的 非晶硅薄膜 制成的太阳能电池。Carlson研制出最高早的非晶硅太阳能电池,揭开了非晶硅太阳能电池在光电子器件或PV 组件中应用的幄幕,但是当时的非晶硅转换效率很低,不到1%。

2010年3月6日 · 请教非晶硅薄膜太阳能电池中的 P N I 都是什么含义？ P是指的P型半导体,N是指的N型半导体,I是指的本征半导体。 1.PN结的形成：硅是一种半导体材料,具有四个价电子,当把具有5个价电子的元素作为杂质掺入硅中,就形

摘 要：p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题,一直困扰着光伏科学界；为提高该类太阳电池转换效率和降低 光致衰减,这两个方面的研究因此成为薄膜太阳电池的研究热点。

2019年3月20日 · 非晶硅薄膜光伏电池由于生产成本较低、工艺简单、用料省、便于大面积沉积等优点,在太阳能光伏发电 领域具有很大的优势,引起国内外学者的高度关注。

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱、激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H薄膜材料的

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备非化学计量比氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)薄膜材料,借助紫外可见(UV-Vis)光谱,激光拉曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外(FTIR)光谱等手段,研究了p-i-n型非晶硅(a-Si:H)薄膜太阳能电池p层a-SiC:H薄膜材料的制备

2023年9月5日 · 电池背面由一层超薄氧化硅（1~2nm）与一层磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜组成,二者共同形成钝化接触结构。 钝化性能通过退火过程进行激活,Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化,由微晶非晶混合相转变为多晶。 在850°C的退火温度下退火,iVoc>710mV,J0在9-13fA/cm2,显示了钝化接触结构优秀的钝化性能。 该结构可以阻挡少子空穴复合,提升电池

采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜,氢在其中补偿 悬挂链,并进行 掺杂 和制作 pn结。 非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。 禁带宽度 1.7～1.8eV,而 迁移率 和 少子寿命 远比晶体硅低。 现已工业应用,主要用于提炼纯硅,制造 太阳电池 、 薄膜晶体管 、复印鼓、 光电传感器 等。 薄膜太阳电池作为一种新型太阳能电池,由于其原材料来源广泛